2SC type Transistor 5000-5999

　2SCタイプトランジスタ(5000～)

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2025. 5. 6	Ver. 1. 7	カウンタ廃止
2024.12. 1	Ver. 1. 6	2SC5763を追加
2023.11. 5	Ver. 1. 5	2SC5587を追加
2023. 9.10	Ver. 1. 4	2SC5000を追加
2023. 1.23	Ver. 1. 3	2SC5352を追加
2022. 5. 8	Ver. 1. 2	4000番台へのリンク追記
2022. 4.29	Ver. 1. 1	11-999番台から3000番台へのリンク追記
2022. 1. 1	Ver. 1. 0	公開初版(2SC5100)

１　はじめに
　2SCタイプのトランジスタは6000種類以上開発されています。(2020年8月現在)　古いトランジスタが出てきましたので、ご紹介します。このページでは2000番台のものとしました。11-999番台、1000番台、2000番台、3000番台、4000番台もどうぞ。
　実際に使用したものにはコメントを付けました。下表の数値は、原則としてメーカー発表の一次資料によります。
　
２　2SCタイプ(5000～)

2SC5000　東芝

　電力増幅用シリコントランジスタで、1993年頃の開発です。絶縁型のパッケージです。定格を見る限り、この時代にしては低圧、大電流で、商品としての企画意図がよくわかりません。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T
(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CB
(V)

I_E
(mA)

2SC5000

東芝

AF.PA

Si.E

10A

25W

150

120/ /400

/90/

2-10R1A

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2SC5100　サンケン電気

　オーディオ用シリコントランジスタで、1994年頃の開発です。2SA1908とコンプリメンタリです。
　リード線が曲げられていますが、出荷時はストレートです。絶縁型のパッケージのため、大変使いやすいです。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Application

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T
(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CB
(V)

I_E
(mA)

2SC5100 O
2SC5100 P
2SC5100 R

サンケン

AF.PA

Si.TP

160

120

75W

150

160

50/ /100
70/ /140
90/ /180

-0.5A

/20/

/200/

FM100
TO-3PF
249

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2SC5352　東芝

　高速スイッチング用シリコントランジスタで、1995年頃の開発です。h_FEの区分はありません。DC-DCコンバータなどへの応用が期待されましたが、Power MOS FETが急速に性能向上したため、活躍の場がなくなりました。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T
(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CB
(V)

I_E
(mA)

2SC5352
2001.5.24
2010.10.19

東芝

HV.SW
DC-DC Conv.

Si.TD

600

400

10A

80W

150

100

480

20/ /

2-16C1A

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2SC5587　東芝

　ブラウン管式TVの水平出力用、高速スイッチング用のシリコントランジスタで1999年頃の開発です。
　h_FEの区分はありません。
　高電圧用途として沿面距離を長くとるため、中央のコレクタリードの根元は少しモールドされています。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T
(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SC5587
1999. 6.28
2001. 8.20

東芝

TV Hout
HS SW

Si.TD Mesa

1500

750

17A

75W

150

1mA

1500

22/ /48
9/ /18
5/ /8

5
5
5

2A
7A
14A

0.1A

/2/

240

2-16E3A

2SC5763　三洋電機

　スイッチングレギュレータ用のシリコントランジスタで2001年頃の開発です。スイッチング特性は下記のとおりです。
　　t_on　　　//0.5μs
　　t_stg　　　//2.5μs
　　t_f　　　//0.25μs　　　条件：I_C=5A , I_B1＝1A , I_B2＝-2A , R_L=40Ω , V_CC=200V

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T
(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SC5763 M
2SC5763 N
2001.12.

三洋

SW Reg.

Si.TD

700

400

1.75W
55W

150

400

20/ /40
30/ /50

0.8A

/17/

/80/

TO-220

3　おわりに
　保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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