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１ はじめに
2SCタイプのトランジスタは6000種以上開発されています。(2020年8月現在) 古いトランジスタが出てきましたので、ご紹介します。このページでは2000番台のものとしました。11-999番、1000番台、3000番台、4000番台、5000番台もどうぞ。
実際に使用したものにはコメントを付けました。下表の数字は、原則としてメーカー発表の一次資料によります。
２ 2SC2000〜タイプ
| 2SC2074 東京芝浦電気 |
 |
シチズンバンド(27MHz)用無線機の高周波ドライブ段用シリコントランジスタで、1976年頃の開発です。東芝のデータブックにデータが掲載されたことはないようで、定格は全く不明です。しかし、一部の東芝データブックでは廃品種として記載されており、東芝製であったことは間違いありません。
形式番号表示では、「C2074-B」や「C2074-C」、「C2074-Y」などがあります。BやCが何を示すものかよくわかりません。
2SC2074は、輸出向け27MHz帯トランシーバに使用されていました。トランシーバの同一形式、同一箇所にロットごとに同等品として使用されていたのが、2SC1760、2SC1846、2SC1957、2SC2074です。よって、それらのうちの最低定格であったとするならば、一番定格の小さい2SC1846と同等程度の定格と考えられます。
一方、2SC2074が特定機器メーカー向けの専用品であったとするならば、定格が公開されなかったのは理解できます。また、製造費に見合うだけの数量を生産するのは難しいことから、既存の設計を転用したとも考えられます。これらを総合すると、同等用途の2SC2036のチップを別の外囲器に収めた可能性もあります。
同等品としてNTE322があげられていますが、出どころは不明です。
下記の2SC2074の定格数値は推定ですが、当たらずとも遠からずというところでしょう。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SC2074 注1 |
東芝 |
RF,PA |
Si.E |
80 |
80
RBE=220 |
5 |
1A |
1W |
150 |
0.1 |
60 |
100/ / |
2 |
150 |
10 |
-100 |
150 |
/12/ |
|
2-10C1A
249 |
| 2SC2074 注2 |
東芝 |
RF,PA |
Si.E |
45 |
35 |
4 |
1A |
750 |
150 |
|
|
/ / |
|
|
|
|
|
|
|
2SC1760 1
2SC1760 2
2SC1760 3
2SC1760 4
2SC1760 5 |
SONY |
RF,PA |
Si.E |
100 |
50 |
6 |
1.5A |
950
7.9W |
150 |
0.2 |
25 |
98/ /156
140/ /222
199/ /316
285/ /451
409/ /649 |
2 |
100 |
2 |
-10 |
80 |
/16/40 |
|
174B |
2SC1846 Q
2SC1846 R
2SC1846 S |
松下 |
RF,PA |
Si.EP |
45 |
35 |
5 |
1A |
1.2W |
150 |
0.1 |
20 |
85/ /170
120/ /240
170/ /340 |
10 |
500 |
10 |
-50 |
/200/ |
15 |
|
TO-126B-A1
222 |
| 2SC1957 |
NEC |
RF,PA
27MHz 1.8W |
Si.E |
75 |
40 |
4.0 |
1A |
750
5W |
150 |
1.0 |
40 |
20/90/200 |
10 |
500 |
10 |
-150 |
150/250/ |
/14/20 |
|
225 |
| 2SC2036 |
東芝 |
RF,PA |
Si.E |
80 |
80
RBE=220 |
5 |
1A |
1W |
150 |
0.1 |
60 |
100/ / |
2 |
150 |
10 |
-100 |
/150/ |
/12/ |
|
2-8J1A
225 |
| 2SC1628 |
東芝 |
RF,PA |
Si.TD |
180 |
150 |
5 |
50 |
1W |
150 |
|
|
/ / |
|
|
|
|
120 |
<5 |
|
2-10C1A
249 |
| 2SC2194 |
東芝 |
RF,PA |
Si.E |
60 |
|
5 |
1.5A |
1W |
150 |
|
|
/ / |
|
|
|
|
100 |
20 |
50 |
| 2SC2384 |
東芝 |
RF,PA |
Si. |
160 |
|
6 |
1A |
10W |
150 |
|
|
/ / |
|
|
|
|
>20 |
<20 |
20 |
| NTE322 |
NTE |
RF,PA |
Si. |
VCES=65 |
3 |
500 |
10W |
150 |
10 |
50 |
10/ / |
10 |
100 |
12 |
|
|
40 |
|
|
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| 2SC2075 東京芝浦電気 |
 |
27MHz帯CB無線機出力用シリコントランジスタで1976年頃の開発です。
Vcc=12(V),Pi=0.3(W),f=27(MHz)で3.5(W)以上が得られます。
東芝はAM変調の4W出力終段に使用することを推奨していました。
左の画像の2SC2075は東芝製の産業用機器に使用されていました。CB無線とは全く異なる分野への応用です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
| 2SC2075 |
東芝 |
RF,PA |
Si.E
PCT |
80 |
80
REB=50 |
4.0 |
4A |
10W |
150 |
10 |
30 |
25/ / |
5 |
0.5A |
5 |
0.5A |
/100/ |
/40/ |
|
TO-220AB
SC-46
2-10A1A
268 |
|
15/ / |
2 |
3A |
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| 2SC2120 東京芝浦電気 |
 |
低電圧の低周波電力増幅用シリコントランジスタで1977年頃の開発です。2SA950とコンプリメンタリです。
データブックでは無限大放熱板でTc=25℃のとき、許容コレクタ損失が1300mWとしています。
放熱板を取り付けて使用するようなトランジスタではないので、なぜこのようなアナウンスをしたのか不明です。
2011年1月時点でもカタログに記載されており、長期間生産されたようです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
2SC2120 O
2SC2120 Y
2002.1.30
2007.11.1 |
東芝 |
AF PA |
Si.E
PCT |
35 |
30 |
5 |
800 |
600 |
150 |
0.1 |
35 |
100/ /200
160/ /320 |
1 |
100 |
5 |
10 |
/120/ |
/13/ |
|
TO-92
SC-43
2-5F1B
138 |
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| 2SC2238B 東京芝浦電気 |
 |
オーディオアンプのドライバ用シリコントランジスタで1978年頃の開発です。耐電圧により、無印、A、Bと改善されていきました。
2SA968とコンプリメンタリです。
同一特性で外形がTO-66の2SC2239/2SA969がありますが、少なくとも1983年にはカタログ落ちしています。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2238 O
2SC2238 Y
|
東芝 |
RF,PA |
Si.E
PCT |
160 |
160 |
5 |
1.5A |
25W |
150 |
1 |
160 |
70/ /140
120/ /240 |
5 |
100 |
|
|
/100/ |
/25/ |
|
TO-220AB
SC-46
2-10A1A
268 |
2SC2238A O
2SC2238A Y
|
東芝 |
RF,PA |
Si.E
PCT |
180 |
180 |
5 |
1.5A |
25W |
150 |
1 |
160 |
70/ /140
120/ /240 |
5 |
100 |
|
|
/100/ |
/25/ |
|
2SC2238B O
2SC2238B Y
|
東芝 |
RF,PA |
Si.E
PCT |
200 |
200 |
5 |
1.5A |
25W |
150 |
1 |
160 |
70/ /140
120/ /240 |
5 |
100 |
|
|
/100/ |
/25/ |
|
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| 2SC2331 日本電気 NEC |
  |
工業用シリコントランジスタで1978年の開発です。高速度スイッチング用として開発され、スイッチング・レギュレータや高周波電力増幅器のドライバ用に適するとのことです。2SA1008とコンプリメンタリです。
ton<0.5μS tf<0.5μS tstg<1.5μS (IC=1.0A, RL=50Ω, IB1=0.1A, VCC≒50V) |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2331 M
2SC2331 L
2SC2331 K
1997.7 |
NEC |
SW,
RF PA |
Si.E |
150 |
100 |
7.0 |
2.0A |
1.5W
25W |
150 |
1 |
160 |
40/ /80
60/ /120
100/ /200 |
5 |
1A |
10 |
0.1A |
/100/ |
/35/ |
|
TO-220AB
SC-46
268 |
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| 2SC2335 日本電気 NEC |
 |
 |
工業用シリコントランジスタで1978年頃の開発です。高速度高耐圧スイッチング用として開発されました。スイッチング・レギュレータ、DC-DCコンバータ、高周波電力増幅器等に適するとのことです。高耐圧トランジスタの常としてhFEは低いです。
なぜか形式名印字が正面からは映りにくいです。
ton<1.0μS tstg<2.5μS tf<1.0μS (IC=3.0A, RL=50Ω, IB1=0.6A, VCC≒150V) |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2335 M
2SC2335 L
2SC2335 K
1986.12
2002.4 |
NEC |
HV SW |
Si.TD |
500 |
400 |
7.0 |
15A |
1.5W
40W |
150 |
10 |
400 |
20/ /40
30/ /60
40/ /80 |
5.0 |
1.0A |
|
|
|
/35/ |
|
TO-220AB
SC-46
268 |
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| 2SC2353 日本電気 / NEC |
 |
2SC2353はVHF/UHF帯ミキサー用のシリコントランジスタで1978年頃の開発です。メーカー出荷時は左の画像のようにテーピングされていました。
一番長いリード線がコレクタ、左右がベース、コレクタの反対側がエミッタです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(GHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
|
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SC2353 L
2SC2353 K |
NEC |
UHF MIX |
Si.E |
30 |
14 |
3.0 |
50 |
200 |
125 |
0.1 |
15 |
60/ /120
90/ /180 |
10 |
5 |
10 |
0 |
1.5/ /2.3/ |
/0.85/1.0 |
|
210A |
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| 2SC2383 東京芝浦電気 |
 |
2SC2383はラインオペレートTVの垂直偏向出力用や低周波B級プッシュプル出力用のシリコントランジスタで1978年頃の開発です。
2SA1013とコンプリメンタリです。
高耐圧で使い勝手が良いのか、長期間生産されたようです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
|
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SC2383 R
2SC2383 O
2SC2383 Y
1999.9.30
2000.1.26
2001.5.24
2009.12.21 |
東芝 |
AF PA
TV Vout |
Si.E
PCT |
160 |
160 |
6 |
1A |
900 |
150 |
1.0 |
150 |
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
5 |
200 |
5 |
200 |
20/100/ |
/ /20 |
|
TO-92MOD
2-5J1A |
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| 2SC2458 東京芝浦電気 |
 |
 |
 |
2SC2458は低周波増幅用、中波帯増幅用シリコントランジスタで1978年頃の開発です。2SA1048とコンプリメンタリです。
2SC2458 は低周波低雑音増幅用で、2SA1048とコンプリメンタリです。
形式番号は、無印の2SC2458(1997.4.10)(2007.11.1)、低雑音用の2SC2458(1996.9.2)、2SC2458(L)(2003.3.27)というように割り当てられています。
NF VCE＝6V、IC=0.1mA、f=1kHz、RG=10kΩ
無印 /1/10 dB
(L) /0.2/3 dB |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SC2458 O
2SC2458 Y
2SC2458 GR
2SC2458 BL
1997.4.10/2007.11.1 |
東芝 |
AF
PCT |
Si.E
PCT |
50 |
50 |
5 |
150 |
200 |
125 |
0.1 |
50 |
70/ /140
120/ /240
200/ /400
350/ /700 |
6 |
2 |
10 |
1 |
80/ / |
/2.0/3.5 |
|
TO-92
2-4E1A
287 |
2SC2458 O
2SC2458 Y
2SC2458 GR
2SC2458 BL
1996.9.2/2003.3.27 |
東芝 |
AF
PCT |
Si.E
PCT |
50 |
50 |
5 |
150 |
200 |
125 |
0.1 |
50 |
70/ /140
120/ /240
200/ /400
350/ /700 |
6 |
2 |
10 |
1 |
80/ / |
/2.0/3.5 |
|
TO-92
2-4E1A
287 |
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2SC2517
日本電気 NEC
|
 |
高速度スイッチング用の工業用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。
ton<0.5μS tf<0.5μS tstg<2.5μS (IC=3.0A, RL=17Ω, IB1=0.3A, VCC≒50V) |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2517 M
2SC2517 L
2SC2517 K |
NEC |
PA |
Si.EP |
150 |
100 |
12 |
5A |
1.5W
30W |
150 |
10 |
100 |
40/ /80
60/ /120
100/ /200 |
5 |
2.0A |
10 |
-50 |
|
|
|
SC-46
TO-220AB
268 |
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| 2SC2527 富士通 |
 |
 |
高速度スイッチング用、オーディオ出力用の工業用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。2SA1077とコンプリメンタリです。
スイッチング特性 RL=4Ω、IC=7.5A、IB1＝-IB2＝0.6A
tr： /0.3/
tstg： /1.3/
tf： /0.2/ |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
| 2SC2527 |
富士通 |
HS SW |
Si.EP
RET |
120 |
120 |
7 |
10A |
60W |
150 |
50 |
120 |
60/110/200 |
5 |
1A |
10 |
1A |
40/80/ |
/180/300 |
|
TO-220
268 |
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| 2SC2591 松下電器産業 |
 |
低周波電力増幅用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。2SA1111とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure
|
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF)
|
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2591 Q
2SC2591 R
2SC2591 S |
松下 |
AF PA |
Si.EP |
150 |
150 |
5.0 |
1A |
20W |
150 |
100 |
150 |
90/ /155
130/ /220
185/ /330 |
10 |
150 |
10 |
-50 |
/200/ |
/20/30 |
|
SC-46
TO-220AB
268 |
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| 2SC2654
日本電気 |
 |
低周波電力増幅用、中速度スイッチング用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。パッケージの割に最大コレクタ電流が大きいです。2SA1129とコンプリメンタリです。
何故か、レーザー印字が薄く、撮影画像では文字が写せません。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF)
|
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2654 M
2SC2654 L
2SC2654 K
2SC2654 J
1983.9.20 |
NEC |
AF PA
SW |
Si.E |
100 |
40 |
7.0 |
7A |
1.5W
40W |
150 |
10 |
40 |
40/ /80
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
1 |
3A |
|
|
|
|
|
SC-46
TO-220AB
268 |
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| 2SC2655 東京芝浦電気 |
 |
低周波電力増幅用、スイッチング用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。2SA1020とコンプリメンタリです。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF)
|
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2655 O
2SC2655 Y
2004.7.8 |
東芝 |
AF PA
SW |
Si.E
PCT |
50 |
50 |
5.0 |
2A |
900 |
150 |
1.0 |
50 |
70/ /140
120/ /240 |
1 |
3A |
-2 |
0.5A |
/100/ |
/30/ |
|
TO-92MOD
2-5J1A
241 |
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| 2SC2690A 日本電気 |
 |
 |
50〜100W出力オーディオアンプのドライバ用やカラーTVの垂直偏向ドライブ用シリコントランジスタで1980年頃の開発です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2690 R
2SC2690 Q
2SC2690 P |
NEC |
RF PA,
AF PA |
Si.E |
120 |
120 |
5.0 |
1.2A |
1.2W
20W |
150 |
1 |
120 |
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
5 |
300 |
5 |
200 |
/175/ |
/26/ |
|
TO-126
MP-5 |
2SC2690A R
2SC2690A Q
2SC2690A P |
NEC |
RF PA,
AF PA |
Si.E |
160 |
160 |
5.0 |
1.2A |
1.2W
20W |
150 |
1 |
120 |
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
5 |
300 |
5 |
200 |
/175/ |
/26/ |
|
TO-126
MP-5 |
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| 2SC2725 三菱電機 |
 |
低周波低雑音増幅、差動増幅1980年頃開発のトランジスタです。端子は、左からB1,C1,E1,NC,E2,C2,B2です。
1983年11月のデータブックにはもう記載されていません。短命であったのか、量産できるまでに時間を要したのかもしれません。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SC2725 |
三菱 |
AF,Diff |
Si.E |
100 |
100 |
5.0 |
100 |
200/unit |
125 |
0.1 |
100 |
600 |
6 |
1 |
6 |
-1 |
100 |
2.5 |
|
283 |
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| 2SC2749 日本電気 NEC |
 |
 |
 |
1980年頃開発の高速度大電流スイッチング用、工業用です。形式番号のレーザー刻印が画像として写しにくいです。
リード線のピッチは5.49mmです。よって、B-Eリード線のピッチは10.98mmとなります。このような寸法なので、TO-3タイプのトランジスタの代用に使用することができます。電子機器メーカーでは保守用として良くとられていた方法です。
ton 1.0μs max
tstg 2.5μs max
tr 0.7μs max
IC=6.0A IB=1.2A Vcc=150V RL=25Ω
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2749 N
2SC2749 M
2SC2749 L
2SC2749 K |
NEC |
SW |
Si.TDiff |
500 |
400 |
7.0 |
10A |
100W |
150 |
100 |
400 |
15/ /30
20/ /40
30/ /60
40/ /80 |
5.0 |
1.0A |
|
|
|
|
|
MP-80
162 |
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| 2SC2785 日本電気 |
 |
 |
低周波増幅、低速スイッチング用のシリコントランジスタで1980年頃の開発です。2SA1175とコンプリメンタリで、比較的hFEが大きいです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2785 RF
2SC2785 JF
2SC2785 HF
2SC2785 FF
2SC2785 EF
2SC2785 KF |
NEC |
AF.
low speed SW |
Si.E |
60 |
50 |
5.0 |
100 |
250 |
150 |
0.1 |
60 |
110/ /180
135/ /220
170/ /270
200/ /320
250/ /400
300/ /600 |
6.0 |
1.0 |
6.0 |
-10 |
150/250/450 |
/3.0/4.0 |
|
42 |
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| 2SC2786 日本電気 NEC |
 |
FM帯用のシリコントランジスタで1980年頃の開発です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2786 M
2SC2786 L
2SC2786 K
1982.5 |
NEC |
FM RF
Mix
Conv
OSC |
Si.E |
30 |
20 |
4.0 |
20 |
250 |
150 |
0.1 |
30 |
40/ /80
60/ /120
90/ /180 |
6.0 |
1.0 |
6.0 |
-10 |
400/600/ |
/1.0/1.3 |
/12/15 |
42 |
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| 2SC2930 富士電機 |
 |
 |
 |
シリコントランジスタで1981年頃の開発です。B、Eのリード線は直径1.5mmでかなり太いです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings
(Ta=25℃,Tc=150℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SC2930 |
富士電機 |
HV and High speed SW |
Si.TP |
500 |
400 |
10 |
30A |
200W |
150 |
1mA |
500 |
15/ / |
10 |
5A |
6.0 |
-10 |
|
|
|
103
TC-3
TB-3 |
［このページのトップに戻る］
| 2SC2952 日本電気 NEC |
 |
高周波広帯域増幅用のシリコントランジスタで1982年頃の開発です。 1987年のデータブックには記載されなくなっており、短命のトランジスタです。
4pinのケースでいかにも高周波用です。
500MHzで10dB程度の順方向利得が得られます。
hFEの区分は公開されていませんが、現品表示にはLの文字が見えます。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=75℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2952
1983.10.25 |
NEC |
RF PA |
Si.E |
30 |
20 |
3 |
250 |
5W |
200 |
10 |
20 |
30/80/200 |
10 |
80 |
6.0 |
-10 |
|
/1.8/2.5 |
|
TC-5
TB-14B
TO-205MD
TO-33
C4,B6A |
［このページのトップに戻る］
| 2SC2983 東京芝浦電気 |
 |
1982年頃開発のドライブ用または出力用のシリコントランジスタです。外形にはリード線が3本ストレートに伸びた2-7B1Aと左の画像の外形の2-7J1Aがあります。
2SA1225とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2983 O
2SC2983 Y |
東芝 |
AF PA |
Si.E
PCT |
160 |
160 |
5.0 |
1.5A |
1.0W
15W |
150 |
1 |
160 |
70/ /140
120/ /240 |
5 |
100 |
10 |
100 |
/100/ |
/25/ |
|
2-7B1A
2-7J1A
|
3 おわりに
保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。
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|