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１ はじめに
2SBタイプのトランジスタは1,700品種以上開発されています。(2020年9月現在) 手元のトランジスタをご紹介します。下表の数値は原則としてメーカー発表の1次資料からとしました。2SBタイプの1000番台はこちらです。
２ 2SBタイプ
| 2SB26 東京芝浦電気 |
 |
 |
低周波電力増幅用です。
B級プッシュプル動作だとVCC=12Vで8W程度、A級シングル動作だとVCC=12Vで1.6W程度が得られました。この頃のゲルマニウムトランジスタの性能は決して高くなく、
低いRBEを入れないと十分な電圧をかけられませんし、漏れ電流ICBOが大きいのでこれによるコレクタ損失も無視できません。周波数特性も現代の標準から見ると極めて低いです。
新旧形式名が紛らわしいので整理しておきます。
| 新形式番号 |
2SB25 |
2SB26 |
2SB26A |
| 旧形式番号 |
2S26A |
2S26 |
- |
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,TC=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又は小信号hFE |
バイアス |
fab
(kHz) |
Cob
(pF) |
*rbb(Ω)
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB25
(1962) |
東芝 |
AF.PA |
Ge.A |
-60 |
-60
RBE=50Ω |
-12 |
-1.5A |
20W |
85 |
-160 |
-12 |
34/60/115 |
-1.5 |
-1A |
-1.5 |
0.5A |
/250/ |
|
|
102
TO-3
2-19 |
2SB26
(1962) |
東芝 |
AF.PA |
Ge.A |
-32 |
-32
RBE=50Ω |
-12 |
-1.5A |
20W |
85 |
-160 |
-12 |
34/60/115 |
-1.5 |
-1A |
-1.5 |
0.5A |
/250/ |
|
|
2SB26A
(1964) |
東芝 |
AF.PA |
Ge.A |
-45 |
-45
RBE=100Ω |
-12 |
-3A |
20W |
85 |
-160 |
-12 |
34/60/115 |
-1.5 |
-1A |
-1.5 |
0.5A |
/300/ |
|
|
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| 2SB47 東京芝浦電気 |
 |
2SB47：低周波低雑音用のトランジスタです。あまり見かけないと思います。旧形式名は2S47です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCES
*VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBX,*ICBO
最大値 |
直流又は小信号hFE |
バイアス |
fab
*fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
*rbb(Ω)
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SB47(1962) |
東芝 |
AF.LN |
Ge.A |
-25 |
|
-12 |
-50 |
80 |
75 |
*14 |
-25 |
60/120/250
/140/ |
-1.5
-6 |
0.5
1 |
|
|
|
|
|
12A
TO-1
TC-1
TB-1A
2-6 |
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| 2SB49 , 2SB52 SONY |
 |
 |
2SB49：低周波用のトランジスタで、旧形式名は2T31です。hFEの小さいほうから順に2SB48、2SB49、2SB50と新形式番号が割り当てられました。
2SB52：低周波電力増幅用のトランジスタで、旧形式名は2T32です。hFEの小さいほうから順に2SB51、2SB52と新形式番号が割り当てられました。
下記でVCER(V)の条件の抵抗値は不明です。それから、ケースはベース端子につながっています。この時代のGeトランジスタはこのような接続が多いです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA)
|
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SB48 |
SONY |
AF.PA |
Ge.A |
-16 |
-16 |
|
-100 |
140 |
65 |
-16 |
-16 |
/43/ |
-1 |
-20 |
-6 |
1 |
2.5 |
25 |
|
84A |
| 2SB49 |
SONY |
AF.PA |
Ge.A |
-16 |
-16 |
|
-100 |
140 |
65 |
-16 |
-16 |
/83/ |
-1 |
-20 |
-6 |
1 |
3.0 |
25 |
|
84A |
| 2SB50 |
SONY |
AF.PA |
Ge.A |
-16 |
-16 |
|
-100 |
140 |
65 |
-16 |
-16 |
/131/ |
-1 |
-20 |
-6 |
1 |
3.5 |
25 |
|
84A |
| 2SB51 |
SONY |
PA |
Ge.A |
-30 |
-20 |
-3 |
-200 |
200 |
85 |
-16 |
-25 |
/43/ |
-1 |
-20 |
-6 |
1 |
2.0 |
25 |
|
84A |
| 2SB52 |
SONY |
PA |
Ge.A |
-30 |
-20 |
-3 |
-200 |
200 |
85 |
-16 |
-25 |
/83/ |
-1 |
-20 |
-6 |
1 |
3.0 |
25 |
|
84A |
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| 2SB54,2SB56 東京芝浦電気 |
 |
 |
2SB54：6石AMラジオの低周波増幅用の定番でした。旧形式名は2S54です。下記でVCERの条件はRBE＝10kΩ。
2SB56：6石AMラジオの低周波電力増幅用の定番でした。旧形式名は2S56です。下記でVCERの条件はRBE＝5kΩ。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又は小信号hFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)
(pS) |
| (μA) |
VCB(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB56
(1962)
2SB56
(1975) |
東芝 |
AF.PA |
Ge.A |
-25
-30 |
-25 |
-12
-12 |
-50
-150 |
150
150 |
75 |
-14
-14 |
-25
-30 |
45/80/125
/80/ |
-1
-1 |
IC=-50
IC=-50 |
-6
-6 |
1
1 |
/1/ |
/35/
/35/ |
120 |
12A
TO-1
TC-1
TB-1A
2-6 |
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| 2SB75 日立製作所 |
 |
低周波用の標準的トランジスタでした。標準の2SB75、高耐圧の2SB75Aなどのバリエーションがありました。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCES
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBX最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB75 
2SB75 
2SB75 
(1967) |
日立 |
AF. |
Ge.A |
-25 |
-25 |
-12 |
-100 |
150 |
85 |
/ /-14
(VEB=-6) |
-25 |
/40/
/55/
/70/ |
-6 |
1 |
-6 |
1 |
/2/ |
|
|
12A |
2SB75A
2SB75A
2SB75A
(1967) |
日立 |
AF. |
Ge.A |
-45 |
-45 |
-12 |
-100 |
150 |
85 |
/ /-14
(VEB=-6) |
-45 |
/40/
/55/
/70/ |
-6 |
1 |
-6 |
1 |
/2/ |
|
|
12A |
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| 2SB77A 日立製作所 |
 |
低周波用の標準的トランジスタでした。標準の2SB77、通信工業用の2SB77 、高耐圧の2SB77Aなどのバリエーションがありました。
ほとんど知られていませんが、三洋電機製や松下電子工業製の2SB77 があります。これは、NHKが放送機器用に採用するものを選び、規格としていたので、オリジナル以外のメーカーがセカンドソースを作っていたものです。1960年代が最盛期でした。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBX最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB77
2SB77
2SB77 |
日立 |
AF.PA. |
Ge.A |
-25 |
-25 |
-12 |
-100 |
150 |
85 |
/ /-14
(VEB=-6) |
-25 |
/65/
/85/
/110/ |
-1.5 |
-50 |
-6 |
1 |
/2/ |
|
|
12A |
2SB77  |
日立 |
AF.PA.SW |
Ge.A |
-30 |
-30 |
-12 |
-100 |
150 |
85 |
/-6/-10
(VEB=-6) |
-30 |
60/85/110 |
-1.0 |
-50 |
-6 |
1 |
/1.5/ |
|
|
12A |
2SB77  |
三洋 |
AF.PA. |
Ge.A |
-30 |
-30 |
-12 |
-100 |
150 |
85 |
/ /-10
(ICBO) |
-30 |
60/ /100 |
-1.0 |
-50 |
-6 |
1 |
/1/ |
|
|
12A |
| 2SB77 |
松下 |
AF.PA.SW |
Ge.A |
-30 |
-30 |
-12 |
-100 |
150 |
85 |
/ /-10
(ICBO) |
-30 |
60/ /100 |
-1.0 |
-50 |
-6 |
1 |
/1/ |
|
|
12A
T-3 |
2SB77A
2SB77A
2SB77A |
日立 |
AF.PA. |
Ge.A |
-45 |
-45 |
-12 |
-100 |
150 |
85 |
/ /-25
(VEB=-6) |
-45 |
/65/
/85/
/110/ |
-1.5 |
-50 |
-6 |
1 |
/2/ |
|
|
12A |
| 2SB77A |
日立 |
AF.PA. |
Ge.A |
-45 |
-45 |
-12 |
-100 |
150 |
85 |
/-6/-10
(ICBO) |
-30 |
60/85/110 |
-1.0 |
-50 |
-6 |
1 |
/1.5/ |
|
|
12A |
| 2SB77A |
松下 |
AF.PA.SW |
Ge.A |
-60 |
-60
VCER
RBE=5kΩ |
-12 |
-100 |
150 |
85 |
/ /-10
(ICBO) |
-30 |
60/ /100 |
-1.0 |
-50 |
-6 |
1 |
/1/ |
|
|
12A
T-3 |
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| 2SB100 NEC 日本電気 |
 |
 |
工業用・通信用低雑音用途でした。主として放送機器での使用を想定したもののようです。NFは1kHz、Rg=500Ωで最大5dBとのことです。外形の割にコレクタ損失が小さく、ベースはケースに接続されています。
この頃のNEC製トランジスタは黒色塗装されています。画像右端の赤ペイントはコレクタマークです。なお、このトランジスタは1960年製です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure
|
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICEO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SB100 |
NEC |
AF.LN. |
Ge.A |
-30 |
|
-10 |
-50 |
100 |
75 |
-10 |
-30 |
/60/ |
-6 |
1.0 |
-6 |
1.0 |
*1.2 |
35 |
|
84A |
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| 2SB144 SONY |
 |
 |
旧形式は2T303でした。それを hFEの大きくなる順に2SB142、2SB143、2SB144としたものです。さらに、2SB143のペアーを2SB145、2SB144のペアーを2SB146として命名していました。取付面に窪んだ穴があるのが特徴的です。チップからの放熱が悪くなるのではと思います。なぜこのような窪んだ穴があるかを説明します。このトランジスタは白黒テレビのブラウン管垂直偏向出力用やオーディオ用として開発されましたが、ゲルマニウムのため温度特性が悪く、コレクタ電流が変化してテレビ画像がひずんでしまいます。そこで、半導体チップ部分の温度をできるだけ精度よく検出し補正するため、このような窪みを設け、そこにサーミスタを実装することにしたそうです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SB144 |
SONY |
AF.PA. |
Ge.A |
-30 |
|
-12 |
-1A |
10W |
85 |
-1mA |
-30 |
75 |
-1.5 |
-1A |
|
|
*7kHz |
|
|
TO-3 |
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| 2SB172 2SB175 松下電器産業 |
 |
 |
低周波用の標準的トランジスタでした。2SB172,2SB176,2SB177はB級プッシュプルで0.4W出力が得られるとしていました。
2SB175 など付は工業用です。
hFEのアルファベットは、規格表では文字だけですが、現品では丸囲みとなります。
後期の製品は接合部温度が85℃となっています。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB172
1966 |
松下 |
AF.PA |
Ge.A |
-32 |
|
-10 |
-125 |
125 |
75 |
/-3/-12 |
-10 |
30/50/75 |
-1.0 |
IB=-2 |
|
|
|
|
|
12A
T-3 |
2SB172
2SB172
2SB172 |
松下 |
AF.PA |
Ge.A |
-32 |
|
-10 |
-150 |
125 |
85 |
/-3/-12 |
-10 |
35/ /47
41/ /54
48/ /63 |
-1.0 |
IB=-2 |
-6 |
1 |
/0.700/ |
|
|
12A
TC-1.TB-1
TO-1 |
2SB172
1966 |
松下 |
AF.PA |
Ge.A |
-32 |
-32 |
-10 |
-125 |
125 |
75 |
/ /-6 |
-10 |
38/ /59 |
-1.0 |
IB=-2 |
|
|
|
|
|
12A
T-3 |
2SB175
1966 |
松下 |
AF. |
Ge.A |
-30 |
|
-10 |
-10 |
125 |
75 |
-1/-3/-12 |
-10 |
55/100/220 |
-6 |
1 |
|
|
|
|
|
12A
T-3 |
2SB175
2SB175
2SB175 |
松下 |
AF. |
Ge.A |
-30 |
|
-10 |
-10 |
125 |
85 |
/-3/-12 |
-10 |
55/ /130
85/ /220
150/ /360 |
-6 |
1 |
|
|
/0.700/ |
|
|
12A
TC-1.TB-1
TO-1 |
2SB175
1966 |
松下 |
AF. |
Ge.A |
-30 |
|
-10 |
-10 |
125 |
75 |
-1/-3/-12 |
-10 |
65/ /140 |
-6 |
1 |
|
|
|
|
|
12A
T-3 |
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| 2SB178A 松下電器産業 |
|
|
低周波用の標準的トランジスタでした。下記の許容コレクタ損失は面積が12.5cm2に取り付けた場合です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB178
1966 |
松下 |
AF.PA |
Ge.A |
-20 |
|
-6 |
-300 |
550 |
75 |
/ /20 |
-12 |
50/100/500 |
-6 |
50 |
|
|
|
|
|
12A
T-6 |
2SB178A
1966 |
松下 |
AF.PA |
Ge.A |
-40 |
|
-6 |
-300 |
550 |
75 |
/ /20 |
-12 |
50/100/500 |
-6 |
50 |
|
|
|
|
|
12A
T-6 |
| 2SB178A |
松下 |
AF.PA |
Ge.A |
-40 |
|
-6 |
-320 |
225 |
85 |
/ /20 |
-12 |
/56/ |
-6 |
300 |
|
|
|
|
|
17
T-6 |
| 2SB178AT |
松下 |
AF.PA |
Ge.A |
-40 |
|
-6 |
-300 |
550 |
75 |
/ /20 |
-16 |
|
|
|
|
|
|
|
|
17
T-6 |
| 2SB178N |
松下 |
AF.PA |
Ge.A |
-40 |
|
-6 |
-300 |
225 |
75 |
/ /20 |
-16 |
75/100/150 |
-1 |
300 |
|
|
|
|
|
17
T-6 |
［このページのトップに戻る］
| 2SB212 2SB214 新電元 |
 |
 |
 |
 |
低圧大電流のトランジスタです。重量は44gもあります。TO-3の外形に比べて二回りほど大きいです。足は大電流の用途のためにピンタイプではなく、穴の開いた端子形状です。
この頃の新電元のパワートランジスタは左の画像のように型名をシールに印刷し、貼り付けていました。2SB212はOEMでATR7-304として供給されていました。シールの書式は酷似しています。
ディーゼルエンジン補機発電機の界磁電流制御や自動車の12(V)電源から高圧を得るDC-DCコンバータ等に使用されました。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings
(Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCES
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
|
(μA)
|
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB203
L10 |
新電元 |
PA. |
Ge.A |
-40 |
- |
-40 |
-20A |
80W |
85 |
-5mA |
-40 |
/40/ |
-1.5 |
-15A |
|
|
|
|
|
105
266
TC-19
TB-30 |
| 2SB204 |
新電元 |
PA. |
Ge.A |
-40 |
- |
-40 |
-30A |
80W |
85 |
-5mA |
-40 |
/100/ |
-1.5 |
-15A |
|
|
|
|
|
2SB205
H10 |
新電元 |
LF PA. |
Ge.A |
-80 |
-60 |
-40 |
-20A |
80W |
85 |
-5mA |
-80 |
/40/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
| 2SB206 |
新電元 |
LF PA. |
Ge.A |
-80 |
-60 |
-40 |
-30A |
80W |
85 |
-5mA |
-80 |
/100/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
| 2SB207 |
新電元 |
LF PA. |
Ge.A |
-100 |
-75 |
-40 |
-20A |
80W |
85 |
-5mA |
-100 |
/40/ |
-1.5 |
-15A |
|
|
*2.5kHz |
|
|
| 2SB207A |
新電元 |
LF PA. |
Ge.A |
-140 |
-75 |
-20 |
-20A |
80W |
85 |
-5mA |
-100 |
/40/ |
-1.5 |
-15A |
|
|
*2.5kHz |
|
|
| 2SB208 |
新電元 |
LF PA. |
Ge.A |
-100 |
-75 |
-20 |
-30A |
80W |
85 |
-5mA |
-100 |
/100/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
| 2SB208A |
新電元 |
LF PA. |
Ge.A |
-140 |
-85 |
-40 |
-30A |
80W |
85 |
-5mA |
-100 |
/100/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
2SB209
L15A |
新電元 |
LF PA. |
Ge.A |
-40 |
- |
-40 |
-20A |
80W |
85 |
-5mA |
-40 |
/40/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
2SB210
L15B |
新電元 |
LF SW |
Ge.A |
-40 |
- |
-40 |
-30A |
80W |
85 |
-5mA |
-40 |
/100/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
2SB211
H15A |
新電元 |
LF SW |
Ge.A |
-80 |
-60 |
-40 |
-20A |
80W |
85 |
-5mA |
-60 |
/40/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
2SB212
H15B |
新電元 |
LF SW |
Ge.A |
-80 |
-60 |
-40 |
-30A |
80W |
85 |
-5mA |
-60 |
/100/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
2SB213
U15A |
新電元 |
LF SW |
Ge.A |
-100 |
-75 |
-40 |
-20A |
80W |
85 |
-5mA |
-75 |
/40/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
| 2SB213A |
新電元 |
LF SW |
Ge.A |
-100 |
-85 |
-40 |
-20A |
80W |
85 |
-5mA |
-75 |
/100/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
2SB214
U15B |
新電元 |
LF SW |
Ge.A |
-100 |
-75 |
-40 |
-30A |
80W |
85 |
-5mA |
-100 |
/100/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
| 2SB214A |
新電元 |
LF SW |
Ge.A |
-100 |
-100 |
-40 |
-30A |
80W |
85 |
-5mA |
-100 |
/100/ |
-1.5 |
-15A |
-6 |
2A |
*2.5kHz |
|
|
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| 2SB232 松下電器産業 SONY |
  |
SONYの白黒TVから外したものです。現物はSONYの表示ですが、SONY自身が発行した「補修用トランジスタハンドブック(1995)」及び松下電器産業の「ナショナル半導体ハンドブック(1967)」では松下電器産業となっているため、真のメーカーは、松下電器産業のようです。また、CQ出版のトランジスタ規格表でも松下電器産業となっています。1960年代前半はトランジスタの生産が不安定な時代であり、松下電器産業製を塗装してSONYに印字しなおしたものと思われます。コレクタ損失がCQ出版では54W、松下電器産業のハンドブックでは30Wとなっています。
ドリフトタイプであり、VEBOは驚くほど低い値です。 |
| 型名 |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Type |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCES
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SB232 |
松下 |
AF.PA. |
Ge.D |
-130 |
-130 |
-0.5 |
-6A |
54W |
90 |
-220 |
-14 |
75 |
-1 |
-200 |
|
|
|
|
|
TO-3 |
2SB232
(1967) |
松下 |
AF.PA. |
Ge.D |
-130 |
-130 |
-0.5 |
-6A |
30W |
90 |
-220 |
-14 |
20/ / |
-1 |
-200 |
|
|
|
|
|
TO-3
T-24 |
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| 2SB291 東京芝浦電気 |
 |
 |
 |
|
通信・工業用低周波増幅用トランジスタです。底面は厚く1.5mm程度あります。金メッキのケースでコレクタ損失が大きそうですが、外形の割にコレクタ損失は小さく150mWしかありません。2SB292のドライブ用として生産されていたようです。
東芝がhFE種別を色点で表していた時代です。こののち、色点は抵抗値の定数を示すのと同じ赤、橙、黄、緑、青、紫を順に使うようになり、更に後にはこれらの色の英語頭文字、R、O、Y、GR、BL、VをhFE区分として標記するようになりました。
CQ出版のトランジスタ規格表ではhFEの測定条件(赤文字部分)が誤っています。 |
| 型名 |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Type |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB291 赤
2SB291 黄
2SB291 緑 |
東芝 |
AF. |
Ge.Ａ |
-30 |
-25 |
-12 |
-150 |
150 |
75 |
-10 |
-12 |
22/ /55
45/ /105
95/ /210 |
-6
-1 |
-1
-50 |
-6 |
1 |
1 |
35 |
180 |
2-8C
84A
TO-5 |
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| 2SB381 2SB383 SONY |
 |
 |
 |
SONYの低周波出力増幅用ゲルマニウムトランジスタです。白黒テレビやラジオの低周波出力段によく使われました。2SB373〜2SB383は、耐電圧とhFEにより区分されています。
ベース端子はケースに接続となっており、NECの2SB218〜2SB227と同様です。 |
| 型名 |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Type |
最大定格 Maximum Ratings(Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SB381 |
SONY |
AF.PA |
Ge.Ａ |
-32 |
-30 |
-12 |
-300 |
270 |
85 |
-10 |
-32 |
34/42/ |
-1 |
-20 |
-6 |
1 |
2.5 |
25 |
|
84A |
| 2SB382 |
SONY |
AF.PA |
Ge.Ａ |
-32 |
-30 |
-12 |
-300 |
270 |
85 |
-10 |
-32 |
/84/ |
-1 |
-20 |
-6 |
1 |
2.5 |
25 |
|
84A |
| 2SB383 |
SONY |
AF.PA |
Ge.Ａ |
-32 |
-30 |
-12 |
-500 |
270 |
85 |
-10 |
-32 |
/84/ |
-1 |
-20 |
-6 |
1 |
3 |
25 |
|
84A |
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| 2SB400 三洋電機 |
 |
 |
1964年頃開発の三洋電機の低雑音低周波増幅用ゲルマニウムトランジスタです。変わったコレクタマークがついています。 |
| 型名 |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Type |
最大定格 Maximum Ratings(Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SB400 |
三洋 |
AF.LN |
Ge.Ａ |
-20 |
-30 |
-10 |
-40 |
100 |
85 |
-15 |
-10 |
/100/ |
|
|
-6 |
1 |
1 |
25 |
|
12A |
［このページのトップに戻る］
| 2SB435 東京芝浦電気 |
 |
低周波電力増幅用です。2SD235とコンプリメンタリです。大量生産されました。
2SAや2SBのレジンモールドの色は青、緑が少なくないです。 |
| 型名 |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Type |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB435 R
2SB435 O
2SB435 Y |
東芝 |
AF.PA. |
E.Mesa |
-40 |
-40 |
-5 |
3A |
1.5W
25W |
150 |
-10 |
-30 |
40/ /80
70/ /140
120/ /240 |
-5 |
500 |
-5 |
500 |
/3/ |
/200/ |
|
268
TO-220AB
SC-46,2-10 |
［このページのトップに戻る］
| 2SB459 日立製作所 |
 |
シリコントランジスタがつぎつぎと発表されていく時期のゲルマニウムトランジスタでした。
低周波低雑音増幅用で比較的hFEが高いです。 |
| 型名 |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Type |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB459
2SB459
2SB459
2SB459  |
日立 |
AF.LN |
Ge.A |
-30 |
-18 |
-2.5 |
-50 |
120 |
100 |
-12 |
-20 |
/90/
/140/
/230/
/370/ |
-6 |
-1 |
|
|
|
|
|
12A |
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| 2SB463 東京芝浦電気 |
 |
 |
低周波出力段用のトランジスタです。カーラジオの低周波出力用にもよく使用されました。 |
| 型名 |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Type |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB463 R
2SB463 Y
2SB463 BL |
東芝 |
AF.PA |
Ge.A |
-32 |
-32 |
-12 |
-2A |
6W |
85 |
-70 |
-12 |
30/ / 60
50/ /100
85/ /250 |
-1 |
-500 |
|
|
|
|
|
99 |
［このページのトップに戻る］
| 2SB514 ,2SB515 三洋電機 |
 |
ホームステレオ用で、2SD330、2SD331とコンプリメンタリです。2SB515や2SD331はリード線がフォーミングされており、コレクタリード線は短く切断されています。外形がTC-16やTC-16Aのトランジスタと取り付け互換性があるようになっています。このような例は2SC1060と2SC1061などにもみられます。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCES
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB514 C
2SB514 D
2SB514 E
2SB514 F |
三洋 |
AF.PA. |
Si.E |
-50 |
-50 |
-5 |
-2A |
1.75W
20W |
150 |
-100 |
-20 |
40/ /80
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
-2 |
-1A |
5 |
500 |
/8/ |
|
|
268
TO-220AB
SC-46 |
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| 2SB641，2SB643，2SB644 松下電器産業 Panasonic |
 |
1977年頃開発の小型パッケージのトランジスタです。基板への自動挿入がやりやすい形状の一つとして開発されたようです。リード線の形状も工夫してあり、先端が尖り、途中にカエリのような突起が付いています。
2SB643は2SD638、2SB644は2SD639とコンプリメンタリです。
不思議なことに近接する番号のトランジスタ2SB641や2SB642は2SD636、2SD637とコンプリメンタリ設定がありません。定格や特性はコンプリメンタリとしても良いように思います。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings(Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SB641 Q
2SB641 R
2SB641 S |
松下 |
AF. |
Si.EP |
-30 |
-25 |
-7 |
-100 |
400 |
150 |
-1 |
-20 |
160/ /260
210/ /340
290/ /460 |
-10 |
-2 |
-10 |
-10 |
/150/ |
/3.5/ |
|
151,SC-71,M |
2SB642 Q
2SB642 R
2SB642 S |
松下 |
AF. |
Si.EP |
-60 |
-50 |
-7 |
-100 |
400 |
150 |
-1 |
-20 |
160/ /260
210/ /340
290/ /460 |
-10 |
-2 |
-10 |
-10 |
/150/ |
/3.5/ |
|
151,SC-71,M |
2SB643 Q
2SB643 R
2SB643 S |
松下 |
AF.PA |
Si.EP |
-30 |
-25 |
-7 |
-500 |
600 |
150 |
-0.1 |
-20 |
85/ /170
120/ /240
170/ /340 |
-10 |
-150 |
-10 |
-10 |
/200/ |
/6/15 |
|
151,SC-71,M |
2SB644 Q
2SB644 R
2SB644 S |
松下 |
AF.PA |
Si.EP |
-60 |
-50 |
-7 |
-500 |
600 |
150 |
-0.1 |
-20 |
85/ /170
120/ /240
170/ /340 |
-10 |
-150 |
-10 |
-10 |
/200/ |
/6/15 |
|
151,SC-71,M |
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| 2SB649A 日立製作所 |
初期タイプ
 |
後期タイプ
 |
高耐圧のオーディオ用トランジスタです。終段用ドライバーとしてよく使用されていました。ICは、最大100mA程度までで使用するのが良いようです。
2SB649と2SB649Aは、それぞれ2SD669と2SD669Aのコンプリメンタリです。リード線をフォーミングしていますが、新品ではストレートです。このトランジスタは、大陸製の偽物が大量にあります。インターネット上で検索すると9割がたは偽物や互換品と思われるものがヒットします。
本物と偽物は下記のような外観の差があります。カッコ内は偽物の事例です。
| 項目 |
本物(初期ロット) |
本物(後期ロット) |
(下記が一つでもあれば)偽物 |
| 形式番号 |
横書 |
縦書 |
| hFEのアルファベット |
形式番号の次の行右端で丸囲み |
形式番号の次の行右端で丸囲みではない。 |
形式番号と同じ行。 |
| レジンモールド |
灰色 |
黒色 |
黒色 |
| エンボス窪み |
上部左右と下部中央に浅い窪み
下部中央の浅い窪みの中には「TAIWAN」の文字 |
左記以外
窪みの位置が異なる。
深い窪みや窪み内に刻印 |
| 日立のマーク |
立の字の縦の棒あり。立の字が対称。 |
立の字の縦の棒がない。立の字が非対称。 |
| 真中のリード線 |
根元が少し太い |
BCEとも同じ太さ |
| 裏の金属部分 |
八角形 |
八角形でなかったり、一部が欠けている。 |
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SB649
2SB649
2SB649 |
日立 |
AF.PA. |
Si.E |
-180 |
-120 |
-5 |
-1.5A |
1W
20W |
150 |
-10 |
-180 |
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
-5 |
-150 |
-5 |
-150 |
/140/ |
27 |
|
160
TO-126 |
2SB649A
2SB649A |
日立 |
AF.PA. |
Si.E |
-180 |
-160 |
-5 |
-1.5A |
1W
20W |
150 |
-10 |
-180 |
60/ /120
100/ /200 |
-5 |
-150 |
-5 |
-150 |
/140/ |
27 |
|
160
TO-126 |
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| 2SB673 東京芝浦電気 |
 |
大電力スイッチング用のダーリントントランジスタです。耐圧区分による形式番号が割り当てられています。
ton=0.8(μs) tstg=2.0(μs) tf=2.5(μs) |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SB673
2SB674
2SB675 |
東芝 |
SW |
Si.E |
-100
-80
-60 |
-100
-80
-60 |
-5 |
-7A |
40W |
150 |
-100 |
-100
-80
-60 |
2000/ /15000 |
-3 |
-3A |
-5 |
-150 |
|
|
|
TO-220AB
SC-46
2-10A1A |
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| 2SB686 東京芝浦電気 |
 |
出力30〜35Wクラスのオーディオ出力段用のトランジスタです。2SD716とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SB686 R
2SB686 O |
東芝 |
AF PA |
Si.TDiff.
PCT |
-100 |
-100 |
-5 |
-6A |
60W |
150 |
-10 |
-100 |
55/ /110
80/ /160 |
-5 |
-1A |
-5 |
-1A |
/10/ |
/270/ |
|
2-16B1A |
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| 2SB734 日本電気 NEC |
 |
 |
1979年頃開発のＮECの低周波電力増幅用のトランジスタで、2SD774とコンプリメンタリです。
形式番号側で、左からECBです。
日立の2SC458を一回り大きくしたような形状です。
hFEの区分が従来のNECとは異なります。現品表示ではhFEランクが特定できません。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (nA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB734 L2
2SB734 K3
2SB734 K4
2SB734 U4
2SB734 U5 |
NEC |
AF.PA |
Si.E |
-60 |
-50 |
-6.0 |
-1.0A |
1W |
150 |
-100 |
-50 |
135/ /270
200/ /320
250/ /400
300/ /480
360/ /600 |
-2 |
-100 |
-2 |
10 |
50/80/ |
/23/50 |
|
278 |
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| 2SB774 松下電器産業 |
 |
 |
松下電器産業の低周波用のトランジスタです。
形式番号側で、左からECBです。
表の最上段は開発時、中段は後期のデータです。hFE区分のP、Q、Tが後期ではなくなっています。下段のように3桁の形式番号のトランジスタを改め、ハウスナンバーとして元の3桁の先頭に0を付加した4桁の形式番号でも販売していました。このような場合、元の3桁形式よりも4桁方式の方が定格が大きくなる傾向にあります。
さて、このトランジスタの特徴はVEBOが15(V)もあることです。これを生かして、ミューティング回路や可変電圧リミッタ回路などに便利でした。
東南アジアメーカーが同一形式番号の互換品を販売していますが、VEBOは15(V)もありません。注意が必要です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB774 P
2SB774 Q
2SB774 R
2SB774 S
2SB774 T
1979 |
松下 |
AF |
Si.EP |
-30 |
-25 |
-15 |
-100 |
250 |
125 |
-1 |
-10 |
120/ /200
160/ /260
210/ /340
290/ /460
400/ /650 |
-10 |
-2 |
-2 |
10 |
/150/ |
/4/ |
|
TO-92
SC-43A
138 |
2SB774 R
2SB774 S
1994.11.30 |
松下 |
AF |
Si.EP |
-30 |
-25 |
-15 |
-100 |
400 |
150 |
-1 |
-10 |
210/ /340
290/ /460 |
-10 |
-2 |
-2 |
10 |
/150/ |
/4/ |
|
TO-92
SC-43
138 |
2SB0774 R
2SB0774 S
2001.3 |
松下 |
AF |
Si.EP |
-30 |
-25 |
-15 |
-100 |
400 |
150 |
-1 |
-10 |
210/ /340
290/ /460 |
-10 |
-2 |
-2 |
10 |
/150/ |
/4/ |
|
TO-92-B1
SC-43A
138 |
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| 2SB794 日本電気 NEC |
 |
 |
1980年頃開発されたＮECの低周波電力増幅、低速度スイッチング用の工業用ダーリントン接続トランジスタです。C-E間に逆方向の内蔵ダイオードを持っています。
2SD985とコンプリメンタリなのですが、耐電圧は劣ります。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SB794 M
2SB794 L
2SB794 K |
NEC |
PA.SW |
Si.E |
-60 |
-60 |
-8 |
-1.5A |
1W
10W |
150 |
-10 |
-60 |
2000/ /5000
4000/ /10000
8000/ / 30000 |
-2 |
-1A |
|
|
|
|
|
225 |
3 おわりに
保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。
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