2SD type Transistor

2SDタイプトランジスタ(1000～)

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2025. 5. 6	Ver. 1. 6	カウンタ廃止
2023.10. 1	Ver. 1. 5	2SD1187を新規追加
2022.10.10	Ver. 1. 4	2SD1582を新規追加
2022. 5.15	Ver. 1. 3	2SD1780を新規追加
2022. 5. 8	Ver. 1. 2	番台のリンク誤記修正
2022. 4.29	Ver. 1. 1	2SD1468、2SD1520を新規追加
2022. 1. 1	Ver. 1. 0	公開初版　2SD1000番台を分離して新設

１　はじめに
　2SDタイプのトランジスタは2,700種以上開発されています。(2021年1月現在)　手元のトランジスタをご紹介します。各数値は、原則としてメーカー発表の一次資料を基本としています。
このページでは1000番台のものとしました。11-999番台、2000番台もどうぞ。

２　2SDタイプ

2SD1187 　　東京芝浦電気

　1981年頃開発の大電力スイッチング用トランジスタです。
スイッチング特性　V_CC=30V、I_C=6A、I_B1＝-I_B2＝0.3A
　t_r：　/0.5/
　t_stg：　/2.5/
　t_f：　/0.8/
　　(μs)

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD1187 O
2SD1187 Y
2001.5.24

東芝

Si.TDiff.

100

10A

80W

150

0.5

70/ /140
120/ /240

/10/

/350/

2-16B1A

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2SD1468 　　ROHM

　1985年頃開発のミューティング用トランジスタです。飽和電圧がV_CE=0.006V(I_C/I_B=1mA/0.1mA)という優れた特性です。
パッケージ違いで2SD1865があります。　

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD1468 Q
2SD1468 R
2SD1468 S

ROHM

AF.
Muting

Si.EP

300

150

0.5

120/ /270
180/ /390
270/ /560

100

-50

50/150/

/15/30

138
SPT

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2SD1520

　日立製作所

　1984年頃開発の低周波電力増幅、低速スイッチング用ダーリントン接続トランジスタです。

はリード線がストレート、

はリード線が左の画像のように短いです。
h_FEの区分はありません。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD1520

日立

AF.PA

Si.T

100

20W

150

100

1000/ /20000

DPAK

2SD1520

日立

AF.PA

Si.T

100

20W

150

100

1000/ /20000

245
DPAK

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2SD1582　日本電気　NEC

　1984年頃開発の各種ドライブ用のトランジスタで、スーパーハイh_FEトランジスタです。
　ダーリントンではなく、シングルで高いh_FEを実現しています。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD1582 M
2SD1582 L
2SD1582 K

NEC

AF.PA

Si.E

1.0A

1.0W

150

0.1

800/ /1600
1200/ /2400
2000/ /3200

500

150/250/

/18/30

SP-8
278

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2SD1590　日本電気　NEC

　1985年頃開発の低周波電力増幅、低速スイッチング用ダーリントン接続トランジスタです。2SB1099とコンプリメンタリです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。このパッケージのトランジスタは多種発表されました。
　後述する2SD2162はパッケージ違いで、中身は全く同一です。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD1590 M
2SD1590 L
2SD1590 K

NEC

AF.PA
LS SW.

Si.EP

150

100

25W
2W

150

1.0

100

2000/ /5000
3000/ /7000
5000/ /15000

MP-45

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2SD1780 　日本電気　NEC

　1987年頃開発のハンマードライブ用高h_FEトランジスタです。IC出力をこのトランジスタのベースに入力し、そのまま負荷をドライブすることを目的として開発されました。
　BC間に約60Vのツェナーダイオードが接続されており、サージ抑制対策に利用します。このツェナーダイオードのため、スイッチング速度はかなり低下します。元々ハンマードライブやリレードライブ用なので実害はあまりないと思います。
　ダーリントン接続タイプの2SD1843も開発されています。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD1780 M
2SD1780 L
2SD1780 K

NEC

Hammer Drv.
Motor Drv.

Si.E

60±10

2.0A

1.0W

150

0.1

800/ /1600
1200/ /2400
2000/ /3200

5.0

1.0A

SP-8
278

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2SD1842 　三洋電機

　1987年頃開発の大電流スイッチング用トランジスタです。構造は三重拡散プレーナです。
　耐圧があまり高くないのですが、大電流が流せるのは魅力です。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD1842 P
2SD1842 Q

三洋電機

SW.

Si.TP

110

100

40A

3W
150W

150

100

50/ /100
70/ /140

TO-3PB

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2SD1843 日本電気　NEC　

　1987年頃開発のトランジスタです。左図のようにツェナーダイオードとダンパー用ダイオードを内蔵しています。
　このため、モーター、リレー、ソレノイドコイルなどのドライブに適しています。リレーの電圧は最高でも定格DC24V程度までとなります。
　誘導性負荷の開閉には良いのかもしれませんが、通常の増幅用としては内蔵ダイオードは邪魔です。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD1843 M
2SD1843 L
2SD1843 K

NEC

SW.

Si.E

60±10

7.0

150

0.5

2000/ /5000
4000/ /10000
8000/ /30000

0.5A

SP-8
278

3　おわりに
　保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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