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| 2023. 1. 9 |
Ver. 1. 1 |
情報追加 |
| 2022. 2.13 |
Ver. 1. 0 |
公開初版 |
１ はじめに
2N3055というトランジスタがあります。開発時期は1960年代ですが、世界各国のメーカーでセカンドソースが製造され、今なお生産されているようです。
２ 2N3055の定格
| 2N3055 東京芝浦電気 |
 |
2N3055はアメリカのRCAによって1964年頃に開発されたシリコンNPNトランジスタです。少なくとも、1964年の資料には2N3266まで掲載されています。
その後、全世界の半導体各社が製造するようになり、現在でも生産されています。日本の東芝も製造していました。
さて、2N3055はメーカーと製造時期によって定格や特性が異なります。開発元のRCAが1964年頃開発した2N3055、fTを規定した2N3055、その構造を1975年頃変更した2N3055(Hometaxial)があり、他社はこのいずれかの定格で製造しているようです。東芝は後期の2N3055の定格で製造していたようです。また、型番のみをEIAJ型番としたものは2SD878となります。
初期の2N3055(1966)は漏れ電流が大きく、ベース電流が0でも、VCEOが60Vのときコレクタ電流が200mAも流れます。
後期にはコンプリメンタリとなるMJ2955も開発されました。 |
型名
Type |
ﾐ名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure
|
最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(A) |
PC
(W) |
Tj
(℃) |
ICEO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (mA) |
VCE
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(A) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2N3055
1964 |
RCA |
PA,SW |
Si.Diff |
100 |
60 |
7.0 |
15A |
115 |
200 |
|
|
20/ /70 |
4.0 |
4.0 |
|
|
|
|
|
TO-3 |
2N3055
1966 |
RCA |
PA,SW |
Si.Diff |
100 |
VCEO(SUS)=60 |
7.0 |
15A |
115 |
200 |
5.0 |
100 |
20/ /70 |
4.0 |
4.0 |
|
|
|
|
|
TO-3 |
IB=0mA
IC=200mA |
VBE＝-1.5V |
2N3055
Hometaxial
1975 |
RCA |
PA,SW |
Si.Diff |
100 |
60 |
7.0 |
15A |
115 |
200 |
0.7 |
30 |
20/ /70 |
4.0 |
4.0 |
4.0 |
1.0A |
0.8/ / |
|
|
TO-3 |
|
2N3055
1977 |
RCA |
PA,SW |
Si.Diff |
100 |
60 |
7.0 |
15A |
115 |
200 |
0.7 |
30 |
20/ /70 |
4.0 |
4.0 |
4.0 |
1.0A |
2.5/ / |
|
|
TO-3 |
|
2N3055
1982 |
東芝 |
PA,SW |
Si.TDiff |
100 |
60 |
7.0 |
15A |
115 |
200 |
0.7 |
30 |
20/ /70 |
4.0 |
4.0 |
4.0 |
1.0A |
2.5/ / |
|
|
TO-3
TO-204MA
TC-3,TB-3
2-21D1A |
IB=0mA
IC=200mA |
2SD878
1983 |
東芝 |
PA,SW |
Si.TDiff |
100 |
60 |
7.0 |
15A |
115 |
175 |
ICBO
100μA |
VCB
100 |
20/ /70 |
4.0 |
4.0 |
4.0 |
1.0A |
/1.5/ |
150 |
|
TO-3
TO-204MA
TC-3,TB-3
2-21D1A |
3 おわりに
日本とは異なり、2N形式にはセカンドソースが数多くあります。
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